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晶體硅太陽能電池漿料背面鋁漿

產品用途 背面鋁漿產品主要應用于晶體硅太陽能電池背電場

產品性能

l 與晶體硅片有著良好的熱膨脹匹配性;

l 具有優異的印刷性能;

l 具有表面細膩潤滑、附著力強、彎曲度小和轉換效率高等優點;

l 通過絲網印刷和燒結,能形成良好的BSF層,大大提高開路電壓。

性能參數

檢測方法

SA139C

SA151A

SA155A

外觀

目測

細膩潤滑

細膩潤滑

細膩潤滑

細度(μm

刮板細度計

20.0

20.0

20.0

粘度

Pa·s

Brookfield 粘度計 RVDC-C,25

40±10.0

40±10.0

40±10.0

固含量

%

高溫爐 400,30min

75.0±5.0

75.0±5.0

75.0±5.0

干燥膜厚

μm

KYKY-3200

掃描電鏡

30.0±5.0

30.0±5.0

30.0±5.0

燒結膜厚

μm

KYKY-3200

掃描電鏡

20.0±5.0

20.0±5.0

20.0±5.0

燒后方阻

mΩ/□

方阻儀 DMR-1C,25

15

15

15

附著力

單面EVA

電池片轉換效率

效率測試儀

單晶硅,平均轉換效率≥18.4%

多晶硅,平均轉換效率≥16.8%

主要特點

綜合性能好

高轉換效率

低翹曲

印刷工藝

l 漿料攪拌:每罐漿料充分攪拌3~6h;

l 絲網參數:250目,感光膜厚度10μm,線徑30μm,張力30N;

l 印刷參數:網版間距:1.1-1.6mm,印刷壓力70-85N,印刷速度250-300mm/s。

客戶印刷耗量反饋

單晶片125*125

漿料型號

平均耗量

漿料型號

平均耗量

參考

0.90g

參考

0.83g

SA139C

0.85g

SA155A

0.78g

多晶片156*156

漿料型號

平均耗量

漿料型號

平均耗量

參考

1.385g

參考

1.360g

SA139C

1.380g

SA155A

1.350g

燒結工藝

燒結工藝窗口較寬,最高燒結溫度可以設置在850-940之間,以下推薦兩套燒結工藝,以Despatch燒結爐為參考。

單晶125*125的燒結工藝:

1 單晶125*125燒結工藝圖

燒結設置溫度(℃)

250

240

220

625

635

680

700

775

895

實際溫度(℃):

240

230

215

515

530

570

590

655

770

Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

多晶156*156的燒結工藝如下圖:

2 多晶156*156燒結工藝圖

燒結設置溫度(℃)

255

255

240

630

640

685

705

785

905

實際溫度(℃):

245

240

230

520

535

575

595

660

775

Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

干燥膜厚 燒結膜厚

3 背鋁漿干燥和燒結膜厚

 
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